Pwodwi
Aliminyom Nitride Plak
Konduktivite temik : 170-180 W / m.K
Dansite: 3.30 g / cm3
Koule: Gri & nwa gri
Max. Ki ap travay Tanperati : 1,500 degre C
Aplikasyon: Chip Rezistor, Modil pouvwa, pake ki ap dirije, izole jeneral
Voye rechèch
Pwodwi Entwodiksyon
Aliminyom nitride plak gen avantaj ki genyen nan ekselan izolasyon elektrik, konduktivite temik, rezistans tanperati segonde, rezistans korozyon, ak matche ak koyefisyan temik ekspansyon nan silisyom. Aliminyom nitride plak seramik te vin tounen yon nouvo jenerasyon nan sikwi gwo-echel entegre, sikui modil semiconduct ak segonde-pouvwa aparey. AlN plak seramik se ideyal pou dissipation chale ak materyel anbalaj.
Karakteristik popile
√ livrezon vit | √ ekspansyon temik ki ba | √ konduktivite temik segonde | √ tanperati ki ap travay segonde |
√ bon metalizasyon kapasite | √ ekselan izolasyon elektrik | √ CTE femen sa nan Silicon (Si) | √ korozyon ak rezistan ewozyon |
▼ Bulk Dansite (g / cm3)
Specimens ID No. | 1 | 2 | 3 | 4 |
Vale tes | 3.34 | 3.34 | 3.34 | 3.34 |
Vle di vale | 3.34 | |||
∆ Tes Metod: Refere a ISO 10545-3: 2018 tit seramik - Pati 3: Deteminasyon nan absorpsyon dlo, porosit aparan, dansite relatif relatif ak dansite esansyel / Specimens: 50mm×50mm×0.5mm, 4pcs | ||||
▼ koyefisyan Ekspansyon Lineye (10-6/ C)
Specimens ID No. | 1 | 2 | 3 |
Vale tes | 3.4 | 3.4 | 3.4 |
Vle di vale | 3.4 | ||
| ∆ Tes Metod: Refere a ASTM D4535-13ɛ1 Estanda Metod Tes pou Mezi Ekspansyon Temik nan Rock Le li sevi avek Dilatomet / Specimens: 50mm×10mm×.5mm, 3pcs / chofaj pousantaj 1 ° C pou chak min / Tanperati varye ant tanperati chanm nan 100 ° C. | |||
▼ Konduktivite temik (W / m‧K)
Rezilta tes | 185.6 |
∆ Tes Metod: ISO 22007-2 (2015) Plastik-Deteminasyon nan konduktivite temik ak pati temik difisil 2: Sous chale transparan (cho Di metod) / Specimens: 100mm×100mm×0.5mm, 2pcs / Tes Kondisyone: Kalite Sensor C4922 (reyon 14.61 mm), Chofaj pouvwa 2.5 W, Mezi Tan 2 sec. Tanperati tes (23 ± 2) ° C, Kondisyon Laboratwa (25 ± 2) ° C, (50 ± 10) RH | |
▼ fos Fleksib (Mpa)
Rezilta tes | 471 |
∆ Tes Metod: Refere a GB / T 9341-2008 ak kondisyon kliyan an / Specimen: 50mm×4.02mm×0.50mm / vites tes: 0.5mm pou chak minit / Span: 30mm | |
▼ Dielectric Breakdown Voltaj & Dielectric fos
Specimens ID No. | Epese Specimen (mm) | Dielectric Breakdown Voltage (KV) | Dielectric fos (KV / mm) |
1 | 1.03 | 19.45 | 18.88 |
2 | 1.03 | 18.66 | 18.12 |
3 | 1.03 | 17.88 | 17.36 |
4 | 1.03 | 18.26 | 17.73 |
5 | 1.04 | 17.49 | 16.82 |
Medyan | -- | 18.26 | 17.73 |
∆ Tes Metod: GB / T 1408.1-2016 Kout-tan (Rapid-monte) / Tes Specimens: 100mm×100mm×1.0mm, 5pcs / Prekosyon tes: 23 ± 2 ° C, 50 ± RH, 48 h / Tanperati tes: 23 ± 2 ° C / Antoure mwayen: 10 # Transformer lwil oliv / Dissimilar elektwod: pi ba elektwod mouri 75 mm mm, anwo dyamet elektwod 25 mm / Frekans nan aplikasyon voltaj 50 Hz / Rate-of-of-ogmante 1000 V pou chak dezyem | |||
▼ Volim Rezistans
Specimens ID No. | Epese Specimen (mm) | Volim Rezistans Rv (Ω) | Volim Rezistans ρv (Ω·cm) |
1 | 0.54 | 5.96×101 | 3.12×1014 |
2 | 0.53 | 3.48×101 | 1.86×1014 |
3 | 0.53 | 5.38×101 | 2.87×1014 |
4 | 0.53 | 5.16×101 | 2.75×1014 |
5 | 0.54 | 4.29×101 | 2.25×1014 |
Medyan | -- | 5.16×101 | 2.75×1014 |
∆ Tes Metod: GB / T 1410-2006 / Specimens: 100mm×100mm×0.5mm, 5pcs / Kondisyon tes: Precondition23 ± 2 ° C, 50 ± 5%RH, 48 h; Tes dyamet elektwod 50 mm; Gap laje 10.0 mm; Tes voltaj 500 Vdc; Elektrifikasyon tan 1 min. | |||
Aplikasyon yo
Baj popilè: aliminyom nitreide plak, Lachin, founise, manifaktire, faktori
Pwochen:
Fèy nitrid aliminyòm
Voye rechèch
